[发明专利]成膜速率检测模组、成膜设备、成膜速率检测方法有效
| 申请号： | 201710277788.4 | 申请日： | 2017-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN107017177B | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 蒋国;刘洋;尚跃东;李建;杨乐;刘金伟 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;C23C14/24 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种成膜速率检测模组、成膜设备、成膜速率检测方法，属于成膜速率检测技术领域，其可至少部分解决现有的成膜速率检测技术检测准确率低的问题。本发明的成膜速率检测模组包括：多个主传感器，其用于检测其上形成薄膜的速率；遮蔽各主传感器且具有主开口的主挡板，其能运动以使主开口轮流对应每个主传感器；辅传感器，其用于检测其上形成薄膜的速率；遮蔽辅传感器且具有辅开口的辅挡板，其能周期运动，在周期运动过程中辅开口经过对应辅传感器的位置，且辅开口面积与其在一个运动周期中累积扫过面积的比为k，k小于等于1/n，n为主传感器个数。 | ||
| 搜索关键词： | 速率 检测 模组 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种成膜速率检测模组，其特征在于，包括：多个主传感器，其用于检测其上形成薄膜的速率；遮蔽各主传感器且具有主开口的主挡板，主挡板能运动以使主开口轮流对应每个主传感器；辅传感器，其用于检测其上形成薄膜的速率；遮蔽辅传感器且具有辅开口的辅挡板，辅挡板能周期运动，在周期运动过程中辅开口经过对应辅传感器的位置，且辅开口面积与辅开口在一个运动周期中累积扫过面积的比为k，k小于等于1/n，n为主传感器个数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710277788.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：物理量测定装置
- 下一篇：用于关断阀的部分冲程测试
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
