[发明专利]一种用于高压陶瓷的半导体釉及其制备方法在审
| 申请号： | 201710277960.6 | 申请日： | 2017-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN107188417A | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 许五妮 | 申请（专利权）人： | 许五妮 |
| 主分类号： | C03C8/20 | 分类号： | C03C8/20;C04B41/86 |
| 代理公司： | 安徽信拓律师事务所34117 | 代理人： | 娄尔玉 |
| 地址： | 236500 安徽省阜阳市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种用于高压陶瓷的半导体釉，所述半导体釉由以下重量份的原料组成氧化镁17‑28份，碳酸钡15‑25份，氧化钴9‑12份，石英5‑7份，氧化铝粉12‑15份，石灰5‑8份，蛭石8‑10份，膨润土12‑15份，粉末状二氧化钛17‑28份，珍珠岩15‑25份，氧化铁9‑12份，白釉基料20‑25份，光泽剂8‑10份，防腐蚀剂5‑7份。本发明采用了特有的陶瓷釉料配方以及制作工艺，得到的半导体釉，具有较强的抗腐蚀性能，涂覆在高压电瓷外表面长时间保持性能稳定，表面光泽，使用寿命长，尤其适合用在环境恶劣的自然条件中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 高压 陶瓷 半导体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于高压陶瓷的半导体釉，其特征在于，所述半导体釉由以下重量份的原料组成：氧化镁17‑28份，碳酸钡15‑25份，氧化钴9‑12份，石英5‑7份，氧化铝粉12‑15份，石灰5‑8份，蛭石8‑10份，膨润土12‑15份，粉末状二氧化钛17‑28份，珍珠岩15‑25份，氧化铁9‑12份，白釉基料20‑25份，光泽剂8‑10份，防腐蚀剂5‑7份。
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