[发明专利]一种快速连续制备超大单晶薄膜的方法及装置有效
| 申请号： | 201710278012.4 | 申请日： | 2017-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN108728813B | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 吴慕鸿;张智宏;徐小志;俞大鹏;王恩哥;刘开辉 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C23C14/56 | 分类号： | C23C14/56;C23C16/54;C30B29/64;C30B23/00;C30B25/00 |
| 代理公司： | 11360 北京万象新悦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 苏爱华 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种快速连续制备超大单晶薄膜的方法及装置，涉及超大单晶薄膜的制备方法。所述方法为将原材料(如金属箔片)或所需耐高温衬底放在耐高温隔离支架中，置于局部高温加热体上，然后利用常压化学或物理气相沉积法，采用局部高温加热，并在非熔融状态下利用高温驱动单个小晶畴或成核位点长大的原理，通过两端的转动装置，直接或在各类耐高温衬底表面快速连续获得高质量超大单晶薄膜。本发明提出的方法，解决了传统方法制备的单晶薄膜能耗高、工艺复杂、设备昂贵，以及所制备单晶薄膜尺寸受限、质量不高导致性能大大降低等技术问题，通过非常简单的方法，实现了快速连续制备高质量超大单晶薄膜样品。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶薄膜 连续制备 耐高温 制备 局部高温 物理气相沉积法 非熔融状态 衬底表面 尺寸受限 高温驱动 隔离支架 金属箔片 转动装置 加热体 常压 衬底 成核 加热 晶畴 位点 能耗 | ||
【主权项】：
1.一种快速连续制备超大单晶薄膜的方法，其特征在于，采用局部高温加热，并在非熔融状态下利用高温驱动单个小晶畴或成核位点长大的方法，直接或在耐高温衬底表面快速生长出高质量超大单晶薄膜，其中，局域高温加热区的宽度为0.005—5cm；所述方法在带有局域高温加热装置的化学或物理气相沉积系统中进行，在化学或物理气相沉积系统局域高温加热区两端设置转动装置；所述系统包括局域高温加热区前端、局域高温加热区和局域高温加热区后端，所述转动装置包括位于局域高温加热区前端的10个第一转轮和位于局域高温加热区后端的10个第二转轮；局域高温加热区前端和后端的温度为20～50℃，局域高温加热区的温度为300～1400℃；在局域高温加热区中设置耐高温隔离支架，其层数与第一转轮或第二转轮的个数一致；/n所述方法包括如下步骤：/n(一)、将原材料或所需耐高温衬底放在耐高温隔离支架中，置于局部高温加热装置上，放入化学或物理气相沉积设备中，通入Ar或N
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