[发明专利]一种偏向SiC晶体的大边、小边精确定向方法有效
| 申请号： | 201710279149.1 | 申请日： | 2017-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN106990126B | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 陈秀芳;谢雪健;胡小波;徐现刚;张磊 | 申请（专利权）人： | 山东大学;国网山东省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/207 | 分类号： | G01N23/207 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 王楠 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种偏向SiC晶体的大边、小边精确定向方法，属于晶体加工领域，方法包括提供进行过磨平面处理的偏向SiC晶体，提供X射线定向仪；标记偏向SiC晶体的生长大边、生长小边；选取偏向SiC晶体的衍射面，将X射线定向仪的探测器位置固定在该衍射面发生布拉格衍射位置处，测试位于(0001)面与(11‑20)面或(0001)面与(1‑100)面之间衍射面衍射角的位置，在磨平的平面内旋转晶体，不断测试调整晶体表面的衍射方向，直至测得的衍射角与偏向后的理论值一致，实现对偏向SiC晶体大边、小边的精确定向。本方法定位准确，误差小，无需对晶体进行二次滚圆，降低了晶体开裂的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 偏向 sic 晶体 精确 定向 方法 | ||
【主权项】：
1.一种偏向SiC晶体的大边、小边精确定向方法，其特征在于，包括：提供进行过磨平面处理的偏向SiC晶体，提供X射线定向仪；标记偏向SiC晶体的生长大边、生长小边；选取偏向SiC晶体的衍射面，将X射线定向仪的探测器位置固定在该衍射面发生布拉格衍射位置处，测试位于(0001)面与(11‑20)面或(0001)面与(1‑100)面之间衍射面衍射角的位置，在磨平的平面内旋转晶体，不断测试调整晶体表面的衍射方向，直至测得的衍射角与偏向后的理论值一致，实现对偏向SiC晶体大边、小边的精确定向。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东大学;国网山东省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司，未经山东大学;国网山东省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710279149.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
