[发明专利]一种GaN基发光二极管芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201710279152.3 | 申请日： | 2017-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN108735871A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 李晓明;陈康;闫宝华;刘琦;肖成峰;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨树云 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种GaN基发光二极管芯片及其制备方法，由下自上依次包括蓝宝石衬底、N‑GaN层、量子阱层、P‑GaN层、电流扩展层、钝化层，还包括P电极，P电极形成在电流扩展层上，P‑GaN层上设置有金属反射层，且金属反射层位于电流扩展层下方。本发明通过在外延层与电极之间设置金属反射层，将电极下方的出光通过金属反射层反射会芯片内，再在芯片内形成多次反射最终达到出光效果，该方法流程简便增加了出光效率，且表面电极不会因为吸光过多出现结温高影响芯片使用的问题，流程简便，适合规模化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 金属反射层 电流扩展层 芯片 电极 制备 规模化生产 表面电极 出光效果 出光效率 多次反射 量子阱层 影响芯片 蓝宝石 钝化层 外延层 衬底 结温 吸光 反射 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基发光二极管芯片，由下自上依次包括蓝宝石衬底、N‑GaN层、量子阱层、P‑GaN层、电流扩展层、钝化层，还包括P电极，所述P电极形成在所述电流扩展层上，其特征在于，所述P‑GaN层上设置有金属反射层，且所述金属反射层位于所述电流扩展层下方。
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