[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710279678.1 | 申请日： | 2017-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN108807531B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 曲瑞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供半导体结构，该半导体结构包括：衬底和在该衬底上的半导体鳍片；在该半导体鳍片上形成伪栅极结构；在形成该伪栅极结构后的半导体结构上形成第一电介质层，该第一电介质层露出该伪栅极结构的上表面；去除该伪栅极结构以及该伪栅极结构所覆盖的半导体鳍片的一部分以形成凹槽，其中，该半导体鳍片被该凹槽分成间隔开的第一部分和第二部分；以及在形成该凹槽后的半导体结构上形成第二电介质层，其中该第二电介质层填充该凹槽。本发明的制造方法可以形成非凹陷的凹槽隔离结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括：衬底和在所述衬底上的半导体鳍片；在所述半导体鳍片上形成伪栅极结构；在形成所述伪栅极结构后的半导体结构上形成第一电介质层，所述第一电介质层露出所述伪栅极结构的上表面；去除所述伪栅极结构以及所述伪栅极结构所覆盖的所述半导体鳍片的一部分以形成凹槽，其中，所述半导体鳍片被所述凹槽分成间隔开的第一部分和第二部分；以及在形成所述凹槽后的半导体结构上形成第二电介质层，其中所述第二电介质层填充所述凹槽。
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