[发明专利]静电放电保护元件与静电放电方法

摘要

本发明提供一种静电放电保护元件与一种静电放电方法。静电放电保护元件包括第一阱区、第二阱区以及第四掺杂区至第六掺杂区。第一阱区与第二阱区位于基底中。第一阱区具有第一掺杂区至第三掺杂区，以构成第一晶体管。第二阱区位于第一阱区的一侧。第四掺杂区至第六掺杂区位于第二阱区中。第四掺杂区与第三掺杂区接触，且第四掺杂区的导电型态与第三掺杂区的导电型态相同。第五掺杂区、第二阱区以及基底构成第二晶体管。第二晶体管的导电型态与第一晶体管的导电型态互补。第五掺杂区位于第四掺杂区与第六掺杂区之间。

主权项

1.一种静电放电保护元件，包括：第一阱区，位于基底中，所述第一阱区具有第一掺杂区、第二掺杂区以及第三掺杂区，以构成第一晶体管；第二阱区，位于所述第一阱区的一侧的所述基底中；第四掺杂区，位于所述第二阱区中，所述第四掺杂区与所述第三掺杂区接触且其导电型态与所述第三掺杂区的导电型态相同；第五掺杂区，位于所述第二阱区中，其中所述第五掺杂区、所述第二阱区以及所述基底构成第二晶体管，所述第二晶体管的导电型态与所述第一晶体管的导电型态互补；以及第六掺杂区，位于所述第二阱区中，其中所述第五掺杂区位于所述第四掺杂区与所述第六掺杂区之间。