[发明专利]电子组件及其制造方法、转置元件及微元件的转置方法有效
申请号: | 201710282050.7 | 申请日: | 2017-04-26 |
公开(公告)号: | CN107068693B | 公开(公告)日: | 2019-11-19 |
发明(设计)人: | 刘奕成;李和政;刘仲展 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/488;H01L21/60 |
代理公司: | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 梁挥;鲍俊萍<国际申请>=<国际公布>= |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;TW |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种电子组件包括电路基板、连接电极、微元件以及焊料。连接电极位于电路基板上。连接电极具有第一透明导电层,且第一透明导电层的表面位于相对电路基板的一侧且具有多个微米或纳米级颗粒。微元件与连接电极电性连接。焊料位于连接电极与微元件之间,且固着微元件于连接电极上。 | ||
搜索关键词: | 电子 组件 及其 制造 方法 元件 | ||
【主权项】:
1.一种电子组件,其特征在于,包括:/n一电路基板;/n一连接电极,位于该电路基板上,该连接电极具有一第一透明导电层,以及该第一透明导电层的一表面位于相对该电路基板的一侧且具有多个微米或纳米级颗粒;/n一微元件,与该连接电极电性连接;以及/n一焊料,位于该连接电极与该微元件之间,固着该微元件于该连接电极上;/n其中,该电路基板包括:/n一底板;/n一主动元件,位于该底板上;以及/n一钝化层,覆盖于该底板与该主动元件上;/n其中,该连接电极包括:/n一接触区段,对应该主动元件位于该钝化层上;以及/n一贯穿区段,贯穿该钝化层,该贯穿区段的一端耦接该接触区段,以及该贯穿区段的另一端耦接该主动元件。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的