[发明专利]螺旋盘形分布功能层的光电探测器有效
申请号: | 201710282410.3 | 申请日: | 2017-04-26 |
公开(公告)号: | CN106972071B | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
发明(设计)人: | 黄晓敏 | 申请(专利权)人: | 深圳市弘正光电有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/109 |
代理公司: | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人: | 于晓霞 |
地址: | 518125 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本申请提供了一种新结构的光电探测器,其中包括螺旋盘形的p型AlGaAs层,并且所述螺旋盘形的空隙也是螺旋盘形且两者互补,在所述p型AlGaAs层螺旋盘形的空隙中形成n型GaAs层,光通过侧面进入功能层,由于存在多个p型AlGaAs和n型GaAs的结,能够使得照射入的光经过多个pn结,提高了探测器的效率,充分利用照射到的光,使得传感器的灵敏度得到很大的提升。 | ||
搜索关键词: | 螺旋 分布 功能 光电 探测器 | ||
【主权项】:
1.一种螺旋盘形分布功能层的光电探测器,其特征在于,包含:绝缘性基板;基板上形成螺旋盘形的p型AlGaAs层,并且所述螺旋盘形的空隙也是螺旋盘形且两者互补,在所述p型AlGaAs层螺旋盘形的空隙中形成n型GaAs层;所述p型AlGaAs层和所述n型GaAs层在一层内,且形成光电探测器的功能层;在所述p型AlGaAs层和所述n型GaAs层上方分别形成对应的螺旋盘形细栅线;形成细栅线后在上表面形成氟化镁层;探测时,光从侧面进入所述功能层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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