[发明专利]一种基于无机平板异质结的薄膜太阳电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于无机平板异质结的薄膜太阳电池及其制备方法，电池组成包括有玻璃衬基、作为阳极的FTO层、TiO2纳米结构致密薄膜和Sb2S3单晶块体单层致密薄膜组成的平板异质结光活性层、聚合物PCPDTBT电子阻挡层、PEDOTPSS和Spiro‑MeOTAD组成的复合空穴传输层、以及作为电池阴极的Au膜层。所公开的无机平板异质结薄膜太阳电池，具有300‑750 nm的光谱响应范围；当整个电池的光活性层处于光照状态时，电池的转换效率达到9.11%。本发明中，太阳电池的关键光活性层材料，及电子阻挡层和空穴阻挡层缓冲层材料，均由简单溶液法制备得到，具有很好的大规模产业化潜力。

主权项

一种基于无机平板异质结的薄膜太阳电池，其特征在于：包括玻璃衬基、沉积于玻璃衬基上的太阳电池阳极、沉积于太阳电池阳极上的无机平板异质结薄膜、沉积于无机平板异质结薄膜上的电子阻挡层、沉积于电子阻挡层上的空穴传输层、沉积于空穴传输层上的太阳电池阴极；所述的无机平板异质结薄膜由TiO2纳米结构致密薄膜和Sb2S3单晶块体单层致密薄膜组成，TiO2纳米结构致密薄膜沉积于太阳电池阳极上，Sb2S3单晶块体单层致密薄膜沉积于TiO2纳米结构致密薄膜上，由TiO2纳米结构致密薄膜作为电子传输材料层，由Sb2S3单晶块体单层致密薄膜构成太阳电池的光吸收材料层。