[发明专利]一种低压差线性稳压电路有效

专利信息
申请号: 201710283124.9 申请日: 2017-04-26
公开(公告)号: CN106886242B 公开(公告)日: 2018-01-19
发明(设计)人: 方健;陈智昕;刘振国;冯磊;王科竣;方舟;胡梦莹;林巨征;张波 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 代理人: 葛启函
地址: 611731 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于集成电路技术领域,具体的说是涉及一种低压差线性稳压电路。相对于常见的LDO,本发明的方案中采用了以第二PMOS管MP2、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第七NMOS管MN7、第八NMOS管MN8所构成的负反馈环路,使得反馈结构简单,易集成。
搜索关键词: 一种 低压 线性 稳压 电路
【主权项】:
一种低压差线性稳压电路,其特征在于,所述低压差线性稳压电路由第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第七NMOS管MN7、第八NMOS管MN8、第九NMOS管MN9、第十NMOS管MN10、第十一NMOS管MN11和第一电容C1构成;其中,第一PMOS管MP1的源极接电源,第一PMOS管MP1的栅极为使能控制端;第二PMOS管MP2的源极接电源,其栅极接第一PMOS管MP1的漏极;第三PMOS管MP3的源极接电源,其栅极接第四PMOS管MP4的漏极,第三PMOS管MP3的漏极接第二PMOS管MP2栅极与第一PMOS管MP1漏极的连接点;第四PMOS管MP4的源极接电源,其栅极和漏极互连;第一NMOS管MN1的漏极和栅极接第一基准电压源,第二NMOS管MN2的栅极和漏极接第一NMOS管MN1的源极,第三NMOS管MN3的栅极和漏极接第二NMOS管MN2的源极,第三NMOS管MN3的源极接地;第四NMOS管MN4的栅极和漏极接第二PMOS管MP2的漏极,第五NMOS管MN5的栅极和漏极接第四NMOS管MN4的源极,第六NMOS管MN6的栅极接第二NMOS管MN2的源极,第六NMOS管MN6的漏极接第五NMOS管MN5的源极,第六NMOS管MN6的源极接地;第七NMOS管MN7的漏极接第三PMOS管MP3的漏极,第七NMOS管MN7的栅极接第一基准电压源;第八NMOS管MN8的漏接接第七NMOS管MN7的源极,第八NMOS管MN8的栅极接第二基准电压源,其源极接第五NMOS管MN5的源极;第九NMOS管MN9的漏极接第四PMOS管MP4的漏极,第九NMOS管MN9的栅极接第一基准电压源;第十NMOS管MN10的漏接接第九NMOS管MN9的源极,第十NMOS管MN10的栅极接第二基准电压源;第十一NMOS管MN11的漏接接第十NMOS管MN10的源极,第十一NMOS管MN11的栅极接第二NMOS管MN2的源极,第十一NMOS管MN11的源极接地;第一电容C1的一端接第二PMOS管MP2漏极、第四NMOS管MN4漏极和栅极的连接点,另一端接第五NMOS管MN5源极、第六NMOS管MN6漏极、第八NMOS管MN8源极的连接点;第二PMOS管MP2漏极、第四NMOS管MN4漏极和栅极与第一电容C1的连接点为低压差线性稳压电路输出端。
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