[发明专利]硅量子点增强的氧化锌紫外探测器有效
申请号: | 201710283208.2 | 申请日: | 2017-04-26 |
公开(公告)号: | CN106981538B | 公开(公告)日: | 2018-12-14 |
发明(设计)人: | 黄晓敏 | 申请(专利权)人: | 绍兴知威光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/0296;H01L31/0352 |
代理公司: | 合肥市科融知识产权代理事务所(普通合伙) 34126 | 代理人: | 陈思聪 |
地址: | 312300 浙江省绍*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明提供了一种硅量子点增强的氧化锌紫外探测器,包含:硅基板、氢化非晶硅层、多孔状氧化锌层、孔的内壁上形成硅量子点,形成硅量子后通过溶胶凝胶法在孔内填充氧化锌凝胶,并热处理使多孔氧化锌的孔被氧化锌封闭,形成硅量子点增强的氧化锌光活性层,形成硅量子点增强的氧化锌紫外探测器,能够提升紫外探测器的效率,充分利用照射到的光,使得传感器的灵敏度得到很大的提升。 | ||
搜索关键词: | 量子 增强 氧化锌 紫外 探测器 | ||
【主权项】:
1.一种硅量子点增强的氧化锌紫外探测器,其特征在于,包含:硅基板;硅基板上形成一层氢化非晶硅层;所述氢化非晶硅层上形成多孔状氧化锌层,所述孔的孔径范围为50‑600μm;所述孔的内壁上通过浸泡包含硅量子点的溶液使孔的内壁上形成硅量子点,浸泡过后的基板经过旋转基板去除多余的硅量子点溶液;形成硅量子后通过溶胶凝胶法在孔内填充氧化锌凝胶,并热处理使多孔氧化锌的孔被氧化锌封闭,形成硅量子点增强的氧化锌光活性层;所述光活性层上的透明导电氧化物层;以及硅基板另一侧的金属电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的