[发明专利]石墨烯带太赫兹传感器

摘要

本申请提供了一种石墨烯带太赫兹传感器，包括源漏极之间连接的石墨烯带，通过在硅基板上形成凹槽和凹槽上的金属层，将石墨烯层通过金属辅助氧化方法去除与金属层接触的部分，形成石墨烯带，利用石墨烯带特有的电学性能对太赫兹进行探测，实现高效率的石墨烯带太赫兹传感器。

主权项

1.一种石墨烯带太赫兹传感器，其特征在于，包含：硅基板，所述硅基板表面形成横向平行凹槽，所述凹槽的各个面上通过表面氧化形成一层氧化物层，在所述氧化物层的表面上形成金属层；去除所述凹槽两端的金属层；将石墨烯层转移到在硅基板表面上，通过金属辅助氧化将紧挨凹槽上表面的石墨烯氧化去除，形成石墨烯带；在石墨烯层所在的去除了金属层的凹槽两端形成源极和漏极；在硅基板的背面形成银层；所述横向平行凹槽的上表面宽度与底表面宽度相同，所述横向平行凹槽的长度为宽度的6倍以上，所述石墨烯带的纵横比大于6。