[发明专利]闪存装置及闪存存储管理方法有效

专利信息
申请号: 201710283438.9 申请日: 2017-04-26
公开(公告)号: CN107403646B 公开(公告)日: 2020-06-09
发明(设计)人: 杨宗杰;许鸿荣 申请(专利权)人: 慧荣科技股份有限公司
主分类号: G11C29/42 分类号: G11C29/42;G11C29/44;G06F11/10
代理公司: 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人: 江耀纯
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开了一种闪存装置和闪存存储管理方法,所述闪存存储管理方法包括:提供闪存模块,所述闪存模块包括多个单层单元数据区块以及多层单元数据区块;将欲写入的数据分类为多个数据群;分别执行单层单元数据写入以及执行类似容错式磁盘阵列错误更正编码操作产生对应的校验码,以将所述多个数据群以及所述对应的校验码写入至所述多个单层单元数据区块;当完成所述多个单层单元数据区块的写入时,执行内部复制,将所述多个单层单元数据区块所存储的所述多个数据群以及所述对应校验码,依所述多个单层单元数据区块存储顺序,依序写入至所述多层单元数据区块。只需使用极低数据空间作为存储相对应错误更正校验码之用,闪存数据空间使用效率更高。
搜索关键词: 闪存 装置 存储 管理 方法
【主权项】:
一种闪存装置,其特征在于,包含有:一闪存模块,包括多个单层单元数据区块以及一个多层单元数据区块;以及一闪存控制器,具有多条信道分别连接至所述闪存模块,所述闪存控制器是先将一笔欲写入的数据分类为多群的数据,所述闪存控制器分别执行单层单元数据写入以及执行一个类似容错式磁盘阵列的异或运算的错误更正编码操作产生对应的校验码,以将所述多群的数据以及所述对应的校验码写入至所述多个单层单元数据区块;当完成所述多个单层单元数据区块的写入时,所述闪存模块是执行内部复制,将所述多个单层单元数据区块所存储的所述多群的数据以及所述对应的校验码,依数据的先后顺序,依序搬移写入至所述多层单元数据区块。
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