[发明专利]基于硫化钼和铜镓铟的光电传感器

摘要

本发明提供了一种新结构的光电传感器，包括透明导电氧化物栅线，在所述透明导电氧化物层和透明导电氧化物栅线上形成硫化钼层，所述硫化钼层对应透明导电氧化物层不具有栅线的位置形成周期性凹陷；在所述硫化钼层上形成铜镓铟层，所述铜镓铟层填充所述周期性凹陷且为上表面形成为一平面，最终形成了一个平整结构的光电传感器。

主权项

1.一种基于硫化钼和铜镓铟的光电传感器，其特征在于，包含：绝缘基板；绝缘基板上的金属电极层；金属电极层上设置有透明导电氧化物层，所述透明导电氧化物层上设置有透明导电氧化物栅线，所述透明导电氧化物栅线间隔大于透明导电氧化物栅线的宽度；在所述透明导电氧化物层和透明导电氧化物栅线上形成硫化钼层，所述硫化钼层对应透明导电氧化物层不具有栅线的位置形成周期性凹陷；在所述硫化钼层上形成铜镓铟层，所述铜镓铟层填充所述周期性凹陷且为上表面形成为一平面；在所述铜镓铟层上形成ITO层。