[发明专利]一种多晶硅的晶化方法、晶化设备及多晶硅有效
| 申请号： | 201710283522.0 | 申请日： | 2017-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN107119329B | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 班圣光 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B30/00 | 分类号： | C30B30/00;C30B28/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 胡艳华;李丹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本文公开了一种多晶硅的晶化方法、晶化设备及多晶硅。所述多晶硅的晶化方法，包括：将沉积有非晶硅层的基板置于液体中；通过准分子镭射退火ELA装置对液体中的非晶硅层进行激光照射晶化所述非晶硅。本文的技术方案能够提高多晶硅的结晶质量，使得晶化过程中的能量调节更加连续和便捷。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶硅 晶化 非晶硅层 晶化设备 退火 准分子镭射 激光照射 晶化过程 能量调节 非晶硅 基板 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅的晶化方法，包括：将沉积有非晶硅层的基板置于液体中；通过准分子镭射退火ELA装置对液体中的非晶硅层进行激光照射晶化所述非晶硅。
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