[发明专利]具有叉指状背对背MOSFET的器件结构有效
| 申请号： | 201710283885.4 | 申请日： | 2017-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN107403800B | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 马督儿·博德;雷燮光;潘继 | 申请（专利权）人： | 万国半导体国际有限合伙公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 加拿大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一个双向开关器件，包括两个叉指状背对背垂直金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），形成在衬底上，它们的漏极连接在一起，但相互隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 叉指状 背对背 mosfet 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种双向半导体开关器件，其特征在于，包括：一个半导体衬底；两个叉指状背对背垂直金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）形成在衬底上，它们的漏极连接在一起，但是源极和栅极相互隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
