[发明专利]一种具有多层磁性调制结构的低噪声磁电阻传感器有效
申请号: | 201710284467.7 | 申请日: | 2017-04-26 |
公开(公告)号: | CN107422283B | 公开(公告)日: | 2023-05-30 |
发明(设计)人: | 詹姆斯·G·迪克;周志敏 | 申请(专利权)人: | 江苏多维科技有限公司 |
主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;贾允 |
地址: | 215634 江苏省苏州市张家*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公布了一种具有多层磁性调制结构的低噪声磁电阻传感器,包括:衬底和位于衬底之上的多层磁性调制结构阵列,多层磁性调制结构为上下两层软磁材料层以及中间一层金属导电层,且多层磁性调制结构首尾两端依次通过导电条连接成两端口激励线圈,相邻多层磁性调制结构具有相反电流方向;位于多层磁性调制结构正上方或正下方且介于间隙中心的为磁电阻传感单元,磁电阻传感单元敏感方向为垂直于多层磁性调制结构的长轴方向,磁电阻传感单元的阵列电连接成磁电阻传感器,并连接传感器焊盘;测量外磁场时,激励线圈中输入激励电流,磁电阻传感器电压或电流信号经解调输出即为低噪声电压信号,本发明具有结构紧凑,高灵敏,低噪声,小尺寸的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 多层 磁性 调制 结构 噪声 磁电 传感器 | ||
【主权项】:
一种具有多层磁性调制结构的低噪声磁电阻传感器,其特征在于,包括:衬底和位于所述衬底之上的多层磁性调制结构阵列;所述多层磁性调制结构阵列包括多个多层磁性调制结构;所述多层磁性调制结构自上而下为软磁材料层、金属导电层和软磁材料层,且所述多层磁性调制结构首尾两端依次通过导电条连接成两端口激励线圈,并连接激励线圈焊盘,相邻所述多层磁性调制结构工作时具有相反的电流方向;位于所述多层磁性调制结构正上方或正下方且介于间隙中心的为磁电阻传感单元,所述磁电阻传感单元敏感方向为垂直于所述多层磁性调制结构的长轴方向,所述磁电阻传感单元的阵列电连接成磁电阻传感器,并连接传感器焊盘;测量外磁场时,通过所述激励线圈中输入激励电流,所述磁电阻传感器电压或电流输出信号经解调输出即为低噪声电压信号。
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