[发明专利]一种基于微纳光纤倏逝场及电光聚合物的电场传感器有效

专利信息
申请号: 201710286741.4 申请日: 2017-04-27
公开(公告)号: CN106896277B 公开(公告)日: 2020-03-17
发明(设计)人: 谢树果;张崇辉;郝旭春;王天恒 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: G01R29/12 分类号: G01R29/12
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人: 杨学明;顾炜
地址: 100191*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种基于微纳光纤倏逝场及电光聚合物的电场传感器,包括激光光源、中段拉伸为微纳光纤的单模光纤、电光聚合物、光电探测器。激光光源通过单模光纤与包裹在电光聚合物的微纳光纤连接,当光沿着微纳光纤传输时有一大部分能量以倏逝场的形式进行传输,微纳光纤增强了光场与外界物质相互作用,外界电场的变化会引起包裹微纳光纤的电光聚合物的折射率的变化,即微纳光纤周围环境的折射率发生变化。微纳光纤与电光聚合物之间折射率的变化会导致倏逝场能量的损耗发生变化。最终使用光电探测器对输出光的强度进行检测,就可以得出外界电场信息。
搜索关键词: 一种 基于 光纤 倏逝场 电光 聚合物 电场 传感器
【主权项】:
一种基于微纳光纤倏逝场及电光聚合物的电场传感器,其特征在于:所述电场传感器包括激光光源、中段拉伸为微纳光纤的单模光纤、电光聚合物和光电探测器;所述的激光光源连接中段拉伸为微纳光纤的单模光纤,单模光纤的另一端连接光电探测器,电光聚合物涂覆在中段拉伸为微纳光纤的单模光纤中的微纳光纤上,并对电光聚合物进行极化。
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