[发明专利]一种H桥驱动电路有效
申请号: | 201710287595.7 | 申请日: | 2017-04-27 |
公开(公告)号: | CN106972792B | 公开(公告)日: | 2023-08-18 |
发明(设计)人: | 请求不公布姓名 | 申请(专利权)人: | 上海灿瑞科技股份有限公司;上海灿瑞微电子有限公司 |
主分类号: | H02P7/03 | 分类号: | H02P7/03 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 邓琪 |
地址: | 200072 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种H桥驱动电路,其包括电源端VCC和接地端GND以及第一驱动模块和第二驱动模块,所述第一驱动模块包括晶体管NM1、钳位电路、晶体管NM2、升压电路以及控制电路;所述晶体管NM2和晶体管NM1依次串联在所述电源端VCC与所述接地端GND之间;所述晶体管NM2为NMOS管;所述升压电路、晶体管NM1、晶体管NM2和钳位电路分别与所述控制电路连接;所述升压电路与所述电源端VCC、晶体管NM2分别连接;所述钳位电路与所述晶体管NM1连接。本发明通过将传统H桥驱动电路中的上拉管从PMOS管换成NMOS管,降低了整个驱动桥电路的导通电阻。 | ||
搜索关键词: | 一种 驱动 电路 | ||
【主权项】:
一种新型H桥驱动电路,其包括电源端VCC和接地端GND,还包括分别构成所述H桥驱动电路的半桥电路的第一驱动模块和第二驱动模块,其特征在于,所述第一驱动模块包括晶体管NM1、用于钳制晶体管NM1电压的钳位电路、晶体管NM2、用于提高晶体管NM2电压的升压电路以及用于根据外部控制信号控制所述晶体管NM1、晶体管NM2、钳位电路、升压电路动作的控制电路;所述晶体管NM2和晶体管NM1依次串联在所述电源端VCC与所述接地端GND之间;所述晶体管NM2为NMOS管;所述升压电路、晶体管NM1、晶体管NM2和钳位电路分别与所述控制电路连接;所述升压电路与所述电源端VDD、晶体管NM2分别连接;所述钳位电路与所述晶体管NM1连接。
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