[发明专利]一种少层MoS2薄膜的制备方法

摘要

本发明提供了一种少层MoS2薄膜的制备方法，以MoO3粉末和S粉末为前驱体，双温区管式炉为设备，具体步骤如下（1）MoO3薄膜的沉积将MoO3粉末置于石英舟一端，基底倒扣并置于石英舟另一端，通入惰性气体，对MoO3进行加热，在基底上得到MoO3薄膜；（2）将步骤（1）制备的MoO3薄膜和S粉末分别放于双温区管式炉的两个温区，通入惰性气体，加热MoO3薄膜和S粉末，完成MoO3薄膜的硫化，制备得到MoS2薄膜。本发明制备得到的MoS2呈现出三角形形状，每个三角形形状MoS2为单晶，由多个三角形相互连接起来能够形成MoS2薄膜，具有少层结构的MoS2薄膜面积大概为0.7cm×1cm。

主权项

一种少层MoS2薄膜的制备方法，其特征在于：以MoO3粉末和S粉末为前驱体，双温区管式炉为设备，具体步骤如下：（1）MoO3薄膜的沉积：将MoO3粉末置于石英舟一端，基底倒扣并置于石英舟另一端，通入惰性气体，惰性气体从MoO3粉末一端流向基底一端，对MoO3进行加热，在基底上得到MoO3薄膜；（2）将步骤（1）制备的MoO3薄膜和S粉末分别放于双温区管式炉的两个温区，通入惰性气体，S粉末置于双温区管式炉的第一温区，MoO3薄膜置于双温区管式炉的第二温区，加热MoO3薄膜和S粉末，完成MoO3薄膜的硫化，制备得到MoS2薄膜。