[发明专利]一种红外超材料吸收器及其制备方法在审
| 申请号： | 201710289116.5 | 申请日： | 2017-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN107146827A | 公开（公告）日： | 2017-09-08 |
| 发明（设计）人： | 王志明;余鹏;姚依森;巫江;刘德胜;姬海宁;牛晓滨 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;余鹏 |
| 主分类号： | H01L31/09 | 分类号： | H01L31/09;H01L31/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙)51237 | 代理人： | 李华,温黎娟 |
| 地址： | 610041 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开一种红外超材料吸收器，所述超材料吸收器包括依次设置的基底、薄膜层、电介质层、共振圈结构层，所述共振圈结构层包括至少一个金属纳米环，所述金属纳米环的半径不大于2000nm，所述金属纳米环的宽度不大于100nm。能够应用于红外探测上，能够实现对不同红外波段双峰或多峰的吸收，可提高其吸收效率至98％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 红外 材料 吸收 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种红外超材料吸收器，其特征在于：所述超材料吸收器包括依次设置的基底、薄膜层、电介质层、共振圈结构层，所述共振圈结构层包括至少一个金属纳米环，所述金属纳米环的半径不大于2000nm，所述金属纳米环的宽度不大于100nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
