[发明专利]具有晶界缺陷最小化的连续的结晶成长结构的量子点制备方法以及由此制备的量子点

摘要

本发明公开了一种晶界缺陷最小化的具有连续的结晶成长结构的量子点制备方法以及由此制备的量子点。目前的一种量子点仍旧会导致核与壳之间的晶格常数不一致，因为包含了多个配位的有机配体，其缺点是依据激发光的长期稳定度特性低。本发明提供的制备方法包含合成量子点，以及在镁、锂、硅、钛、铝之中至少选择1个作为金属材料的掺杂物质添加到有机溶剂中。本发明制备的量子点具有不区分核与壳之间的晶界的由镉、锌、硒、硫之中的任何一个构成的4成分系第1层结晶结构，硫化镉、硒化锌、硫化锌之中的任何一个构成的4成分系第2层结晶结构，以及CdZnSeS的4成分系第3层结晶结构。本发明的量子点具有提高转换率、辉度及耐热度的优点。

主权项

具有晶界缺陷最小化的连续的结晶成长结构的量子点制备方法，包含以下步骤：步骤a），在锌、镉、水银、铟、铜、铅之中选择至少1个与不饱和脂肪酸混合，添加有机溶剂，合成阳离子前驱体；步骤b），在烷基膦系列、氧化烷基膦系列、三烷基膦系列之中选择任何一个系列，将其与硒、硫、磷、碲之中至少1个混合，合成阴离子前驱体；步骤c），将上述步骤a）的阳离子前驱体和上述步骤b）的阴离子前驱体按照适宜的比例混合，在适宜的温度下使其反应，合成量子点；其特征在于：还包括步骤d），于上述步骤a）中，在镁、锂、硅、钛、铝之中至少选择1个作为起到掺杂作用的金属材料添加到上述有机溶剂中。