[发明专利]松树状金属纳米光栅的制备方法有效
| 申请号： | 201710289458.7 | 申请日： | 2017-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN108802879B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 朱振东;李群庆;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种松树状金属纳米光栅的制备方法，包括以下步骤：提供一基底；在所述基底的表面设置一第一金属层，在所述第一金属层远离基底的表面设置一隔离层，在所述隔离层远离第一金属层的表面设置一第二金属层；在所述第二金属层远离隔离层的表面设置一图案化的第一掩模层；刻蚀所述第二金属层，得到多个三棱柱结构；刻蚀所述隔离层，得到多个第二长方体结构；刻蚀所述第一金属层，得到多个第一长方体结构；去除剩余的光刻胶，得到三维纳米光栅。 | ||
| 搜索关键词： | 松树 金属 纳米 光栅 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种松树状金属纳米光栅的制备方法，包括以下步骤：提供一基底；在所述基底的表面设置一第一金属层，在所述第一金属层远离基底的表面设置一隔离层，在所述隔离层远离第一金属层的表面设置一第二金属层；在所述第二金属层远离隔离层的表面设置一图案化的第一掩模层，所述图案化的第一掩模层包括一本体以及由本体定义的多个平行且间隔设置开口；以及同时干法刻蚀图案化的第一掩模层和第二金属层，得到多个三棱柱结构；以多个三棱柱结构为掩模干法刻蚀所述隔离层，得到多个第二长方体结构；以多个三棱柱和第二长方体结构为掩模干法刻蚀所述第一金属层，得到多个第一长方体结构。
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