[发明专利]对RF放大器的调节有效
申请号: | 201710289912.9 | 申请日: | 2017-04-27 |
公开(公告)号: | CN108123685B | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | L·福格特 | 申请(专利权)人: | 意法半导体有限公司 |
主分类号: | H03F1/02 | 分类号: | H03F1/02;H03F1/30;H03F3/19;H03F1/56;H03F3/45 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;张昊 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及对RF放大器的调节,例如,射频放大器(1)的电源和偏置级(4),该射频放大器的放大级(3)包括至少一个MOS晶体管,该MOS晶体管的控制端子被连接到输入端子(31),并且该MOS晶体管的第一导电端子被连接到输出端子(36),其中,所述晶体管的控制端子的偏置电压是受控的,其方式为同时以标称值调节该放大级的电源电压并且以标称值调节该放大级的偏置电流。 | ||
搜索关键词: | rf 放大器 调节 | ||
【主权项】:
一种射频放大器(1)的电源和偏置级(4),所述射频放大器的放大级(3)包括至少一个MOS晶体管(N33),所述MOS晶体管的控制端子被连接到输入端子(31),并且所述MOS晶体管的第一导电端子(D)被连接到输出端子(36),其中,所述晶体管的所述控制端子的偏置电压(V偏置)是受控的,其方式为同时以标称值(V参考)调节所述放大级的所述电源电压并且以标称值调节所述放大级的偏置电流(I偏置)。
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