[发明专利]一种石墨相氮化碳纳米环材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710290099.7 申请日: 2017-04-28
公开(公告)号: CN107151003B 公开(公告)日: 2019-04-09
发明(设计)人: 赵宗彬;冯锟;王爽;邱介山 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: C01B21/082 分类号: C01B21/082;B82Y30/00
代理公司: 大连星海专利事务所有限公司 21208 代理人: 花向阳;杨翠翠
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 一种石墨相氮化碳(g‑C3N4)纳米环材料及其制备方法,属于纳米材料制备技术领域。该g‑C3N4纳米环材料为圆环状结构,外环直径为20‑1000nm,外环高度为20‑200nm,内部圆孔直径为10‑800nm。其制备方法为:以三聚氰胺作为前驱体,二氧化硅纳米球为模板,受热升华的前驱体在载气的吹扫下进入高温区发生热缩聚反应,热缩聚产物在二氧化硅纳米球表面自组装形成g‑C3N4纳米环,冷却后利用刻蚀试剂去除模板,将产物干燥得到g‑C3N4纳米环材料。该g‑C3N4与热缩聚法形成的体相g‑C3N4相比,具有更高的比表面积、更优异的光生电子‑空穴分离能力和更良好的导电性,不仅可用于光催化产氢,光催化二氧化碳还原及光催化降解有机物等领域,也能作为载体负载催化剂或药物,在能源、环境及医药领域具有广阔的应用前景。
搜索关键词: 一种 石墨 氮化 纳米 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种石墨相氮化碳纳米环材料,其特征在于:所述石墨相氮化碳纳米环材料为圆环状结构,外环直径为20‑1000nm,环高度为20‑200nm,内部圆孔直径为10‑800nm。
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