[发明专利]MOS器件及其漂移区的制作方法

摘要

本发明公开了一种MOS器件及其漂移区的制作方法，本发明中，利用了胶层和掩膜层的设计，利用涂覆在最后介质层上的胶层作为阻挡，先对第二介质层，或第二和第三介质层，进行各向异性刻蚀，打开漂移区的中间区域，进行第一次漂移区注入，再利用胶层或第三介质层作为阻挡，对第二介质层进行各向同性刻蚀，去除胶层或胶层和第三介质层，利用第二介质层作为阻挡，进行第二次漂移区注入。利用一次光刻和多次注入，既做出了LDMOS的体区，又实现了线性梯度漂移区，同时为了增强RESURF(降低表面电场)效果，也在靠近源端的漂移区下方，做有与漂移区掺杂类型相反的杂质，从而获得较高的击穿电压和较低的导通电阻，降低了LDMOS及其漂移区的制作成本。

主权项

一种MOS器件漂移区的制作方法，包括以下步骤：在衬底表面依次至少淀积第一介质层和第二介质层，形成掩膜层；通过涂覆胶层曝光打开漂移区的中间位置，利用胶层作为阻挡，对第二介质层进行各向异性刻蚀，并进行第一次漂移区的注入，形成第一掺杂区；利用涂覆在最后介质层上的胶层作为阻挡，对第二介质层进行各向同性刻蚀；去除胶层，利用第二介质层进行阻挡，再进行第二次漂移区的注入，形成第二掺杂区；在衬底上进行氧化物生长，在没有第二介质层的区域会生长出氧化层，完成氧化层的生长后，则去掉剩余第二介质层；利用生长出的氧化层之阻挡，进行第三次注入，形成第三掺杂区；将生长出的氧化层和所述掩膜层去除；其中，所述第一掺杂区和第二掺杂区的类型相同，二者共同组成线性梯度掺杂的漂移区，所述的第三掺杂区与所述第一掺杂区和第二掺杂区的类型相反。