[发明专利]一种“漏斗”样三维细胞聚集培养芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201710291087.6 | 申请日： | 2017-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN108795751A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 秦建华;魏文博;刘海涛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | C12M3/00 | 分类号： | C12M3/00;G03F7/00 |
| 代理公司： | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 | 代理人： | 郑虹 |
| 地址： | 116023 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种“漏斗”样三维细胞聚集培养芯片及其制备方法。该芯片具有“漏斗”样的凹陷阵列结构，所述漏斗样结构的上半部结构为梯形棱台，下半部结构为圆柱或长方体；该芯片的制备过程是先利用倾斜角曝光与垂直曝光两种软光刻技术得到具有漏斗样结构的模板，再利用该模板制备出聚二甲基硅氧烷芯片，在利用软光刻进行紫外曝光的时候，采用两种曝光的方法分别制备漏斗样结构的上半部与下半部。本发明的芯片在接种细胞后，由于芯片内漏斗样凹陷顶部具有倾斜的侧壁，迫使细胞聚集在漏斗样凹陷的底部，进而聚集成细胞团或细胞球。 | ||
| 搜索关键词： | 漏斗 芯片 细胞聚集 制备 软光刻 上半部 下半部 凹陷 曝光 三维 聚二甲基硅氧烷芯片 凹陷阵列结构 接种细胞 模板制备 梯形棱台 制备过程 紫外曝光 细胞球 细胞团 再利用 侧壁 垂直 | ||
【主权项】：
1.一种“漏斗”样三维细胞聚集培养芯片，其特征在于：该芯片具有“漏斗”样的凹陷阵列结构，所述漏斗样结构的上半部结构为梯形棱台，下半部结构为圆柱或长方体；该芯片的制备过程是先利用倾斜角曝光与垂直曝光两种软光刻技术得到具有漏斗样结构的模板，再利用该模板制备出聚二甲基硅氧烷芯片，在利用软光刻进行紫外曝光的时候，采用两种曝光的方法分别制备漏斗样结构的上半部与下半部。
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