[发明专利]晶片的加工方法有效
| 申请号： | 201710291264.0 | 申请日： | 2017-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN107452609B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 关家一马 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供晶片的加工方法，能够对晶片进行适当地分割并且生产性较高。一种晶片的加工方法，包含如下的工序：改质层形成工序，将对于晶片(11)具有透过性的波长的激光光线(L)会聚在晶片的内部并沿着分割预定线(13)进行照射，在晶片的内部形成沿着分割预定线的改质层(17)；晶片支承工序，在改质层形成工序之前或之后，在晶片的背面(11b)上粘贴具有伸缩性的划片带(31)，并将划片带的外周部安装在环状的框架(33)上；带扩展工序，对划片带进行扩展；以及空气吹送工序，在对划片带进行了扩展的状态下向晶片吹送空气(A)，沿着形成有改质层的分割预定线将晶片分割成各个器件芯片，并且将器件芯片彼此的间隔扩大。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种晶片的加工方法，将在由呈格子状设定的多条分割预定线划分的正面侧多个区域内形成有器件的晶片沿着该分割预定线分割成各个器件芯片，该晶片的加工方法的特征在于，包含如下的工序：改质层形成工序，将对于晶片具有透过性的波长的激光光线会聚在晶片的内部并沿着该分割预定线进行照射，在晶片的内部形成沿着该分割预定线的改质层；晶片支承工序，在该改质层形成工序之前或之后，在晶片的背面上粘贴具有伸缩性的划片带，并将该划片带的外周部安装在环状的框架上；带扩展工序，对该划片带进行扩展；以及空气吹送工序，在对该划片带进行了扩展的状态下向晶片吹送空气，沿着形成有该改质层的该分割预定线将晶片分割成各个器件芯片，并且将器件芯片彼此的间隔扩大。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科，未经株式会社迪思科许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710291264.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：器件的制造方法和磨削装置
- 下一篇：用于处理半导体区域的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
