[发明专利]用于处理半导体区域的方法有效
| 申请号： | 201710293055.X | 申请日： | 2017-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN107452610B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 桑德拉·维尔蒂奇;马里奥·巴鲁希奇;罗伯特·哈特尔;亚历山大·欣茨;伊夫林·纳佩特施尼格;乔治·希恩纳 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李春晖;陈炜 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据各种实施方式，一种用于处理包括至少一个沉淀物的半导体区域的方法可以包括：在半导体区域上方形成沉淀物去除层，其中沉淀物去除层可以限定吸收温度至少一个沉淀物的组分在该吸收温度下在沉淀物去除层中的化学溶解度大于在半导体区域中的化学溶解度；以及将至少一个沉淀物加热至超过吸收温度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 半导体 区域 方法 | ||
【主权项】：
一种用于处理半导体区域的方法，其中，所述半导体区域包括至少一个沉淀物，所述方法包括：在所述半导体区域上方形成沉淀物去除层，其中，所述沉淀物去除层限定吸收温度，所述至少一个沉淀物的组分在所述吸收温度下在所述沉淀物去除层中的化学溶解度大于在所述半导体区域中的化学溶解度；以及将所述至少一个沉淀物加热至超过所述吸收温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
