[发明专利]凹部的填埋方法有效
| 申请号： | 201710293704.6 | 申请日： | 2017-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN107452617B | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 清水亮 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供能够在微细的凹部不产生空隙、缝地填入氮化膜的凹部的填埋方法。重复进行成膜原料气体吸附工序和氮化工序从而在凹部内形成氮化膜而填埋凹部，所述成膜原料气体吸附工序：使表面形成有凹部的被处理基板吸附含有想要成膜的氮化膜的构成元素的成膜原料气体；所述氮化工序：通过活化氮化气体而生成的氮化物种，使前述吸附的成膜原料气体氮化，此时将形成氮化膜的期间的至少一部分设为自下而上生长期间，在该自下而上生长期间，以气相状态供给能够吸附于被处理基板的表面的高分子材料，使之吸附于凹部的上部，阻碍成膜原料气体的吸附，使氮化膜自凹部的底部生长。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 | ||
【主权项】：
一种凹部的填埋方法，其重复进行成膜原料气体吸附工序和氮化工序，从而在凹部内形成氮化膜而填埋凹部，所述成膜原料气体吸附工序：使表面形成有凹部的被处理基板吸附含有想要成膜的氮化膜的构成元素的成膜原料气体；所述氮化工序：通过活化氮化气体而生成的氮化物种，使所述吸附的成膜原料气体氮化；所述方法中，将形成所述氮化膜的期间的至少一部分设为自下而上生长期间，在该自下而上生长期间，以气相状态供给能够吸附于被处理基板的表面的高分子材料，使之吸附于所述凹部的上部，从而阻碍所述成膜原料气体的吸附，使氮化膜自所述凹部的底部生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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