[发明专利]一种快速瞬态响应低压差电压调整器有效

专利信息
申请号: 201710294322.5 申请日: 2017-04-28
公开(公告)号: CN107092296B 公开(公告)日: 2019-05-21
发明(设计)人: 冯浪;岑远军;李大刚;马迎;李呈 申请(专利权)人: 成都华微电子科技有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 代理人: 刘勋
地址: 610000 四川省成都市*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 一种快速瞬态响应低压差电压调整器,涉及模拟集成电路领域,本发明包括误差放大器、功率管Mp和反馈采样电阻,其特征在于,还包括缓冲器、PNP晶体管和NPN晶体管,误差放大器的输出端接PNP晶体管的基极,PNP晶体管的发射极接电压调整器的输出端;NPN晶体管的集电极和基极接PNP晶体管的集电极,NPN晶体管的发射极接地,基极还与缓冲器的第一输入端连接;缓冲器的输出端接功率管的栅极;功率管的输入端接输入电压,输出端接PNP晶体管的发射极;PNP晶体管的发射极通过串联的第一反馈采样电阻和第二反馈采样电阻接地,第一反馈采样电阻和第二反馈采样电阻的连接点接误差放大器的反向输入端。本发明在不需要增加额外静态功耗的情况下,减小系统环路延时,实现快速瞬态响应。
搜索关键词: 一种 快速 瞬态 响应 低压 电压 调整器
【主权项】:
1.一种快速瞬态响应低压差电压调整器,包括误差放大器、功率管Mp和反馈采样电阻,其特征在于,还包括缓冲器、PNP晶体管(Q5)和NPN晶体管(Q6),误差放大器的输出端接PNP晶体管(Q5)的基极,PNP晶体管(Q5)的发射极接电压调整器的输出端(VOUT);NPN晶体管(Q6)的集电极和基极接PNP晶体管(Q5)的集电极,NPN晶体管(Q6)的发射极接地,基极还与缓冲器的第一输入端连接;缓冲器的输出端接功率管(Mp)的栅极;功率管(Mp)的输入端接输入电压(VIN),输出端接PNP晶体管(Q5)的发射极;PNP晶体管(Q5)的发射极通过串联的第一反馈采样电阻(Rf1)和第二反馈采样电阻(Rf2)接地,第一反馈采样电阻(Rf1)和第二反馈采样电阻(Rf2)的连接点接误差放大器的反向输入端;所述缓冲器包括第六PMOS管(MP6)、第七PMOS管(MP7)、第八PMOS管(MP8)、第四NMOS管(MN4)、第五NMOS管(MN5),第七晶体管(Q7)、第八晶体管(Q8),偏置电流源IB的一端接输入电压VIN,另一端连接第四NMOS管(MN4)的栅极和漏极,同时连接第五NMOS管(MN5)的栅极;第四NMOS管(MN4)、第五NMOS管(MN5)的源极接地,形成电流镜结构;第五NMOS管(MN5)漏极连接第六PMOS管(MP6)的栅极和漏极,同时连接第七PMOS管(MP7)、第八POS管(MP8)的栅极,第六PMOS管(MP6)、第七PMOS管(MP7)、第八PMOS管(MP8)的源极接输入电压VIN,形成电流镜结构;第七PMOS管(MP7)漏极连接第七晶体管(Q7)集电极和第八晶体管(Q8)基极,第七晶体管(Q7)发射极接地,基极接第六晶体管(Q6)基极电压VBQ6,和第六晶体管(Q6)形成电流镜结构;第八晶体管(Q8)发射极接地,集电极连接第八PMOS管(MP8)漏极并连接功率管MP栅极。
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