[发明专利]垂直场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201710294745.7 | 申请日： | 2017-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN107393960B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 金振均 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明构思涉及垂直场效应晶体管及其制造方法。一种制造垂直场效应晶体管的方法提供如下。具有侧壁的鳍结构形成在衬底上。下间隔物、栅极图案和上间隔物分别围绕下侧壁区域、中间侧壁区域和上侧壁区域。下间隔物、栅极图案和上间隔物沿鳍结构的侧壁彼此垂直堆叠。为形成下间隔物，初始间隔物层形成为围绕鳍结构的下侧壁区域；通过使用定向掺杂工艺在初始间隔物中部分地掺杂杂质而在初始间隔物层中形成掺杂区域和未掺杂区域；以及去除初始间隔物层的未掺杂区域使得初始间隔物层的掺杂区域保留以形成下间隔物。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造垂直场效应晶体管的方法，包括：在衬底上形成具有侧壁的鳍结构，其中所述侧壁包括下侧壁区域、中间侧壁区域和上侧壁区域；形成分别围绕所述下侧壁区域、所述中间侧壁区域和所述上侧壁区域的下间隔物、栅极图案和上间隔物；其中所述下间隔物、所述栅极图案和所述上间隔物沿所述鳍结构的所述侧壁垂直地堆叠在彼此上，以及其中所述下间隔物的所述形成包括：形成围绕所述鳍结构的所述侧壁的初始间隔物层；通过使用定向掺杂工艺在所述初始间隔物层中部分地掺杂杂质而在所述初始间隔物层中形成掺杂区域和未掺杂区域；以及去除所述初始间隔物层的所述未掺杂区域，使得所述初始间隔物层的所述掺杂区域保留以形成所述下间隔物。
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