[发明专利]三维半导体存储器装置有效
| 申请号： | 201710295706.9 | 申请日： | 2017-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN108807411B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 金星中 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B41/27 | 分类号： | H10B41/27;H10B41/35;H10B43/27;H10B43/35 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;田野 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种三维半导体存储器装置。三维半导体存储器装置包括：下选择栅极，位于半导体基底上；下栅极绝缘层，位于下选择栅极与半导体基底之间；以及有源图案，在与半导体基底的上表面垂直的方向上延伸，并穿透下选择栅极和下栅极绝缘层。下栅极绝缘层具有位于比半导体基底的上表面低的下表面。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
1.一种三维半导体存储器装置，所述三维半导体存储器装置包括：下选择栅极，位于半导体基底上；下栅极绝缘层，位于下选择栅极与半导体基底之间；以及有源图案，在与半导体基底的上表面垂直的方向上延伸，并穿透下选择栅极和下栅极绝缘层，其中，下栅极绝缘层具有位于比半导体基底的上表面低的下表面。
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