[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201710296032.4 | 申请日： | 2017-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN107337175B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 谢元智;林杏莲;彭荣辉;吴宜谦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C3/00 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭露实施例提供一种半导体结构及其制造方法。所述方法包含：提供第一衬底；形成多个导电接垫于所述第一衬底上方；形成薄膜于所述多个导电接垫的第一子集上，从而留下从所述薄膜暴露的所述多个导电接垫的第二子集；形成自组装单层SAM于所述薄膜上方；以及经由接合第二衬底的一部分到从所述薄膜暴露的所述多个导电接垫的所述第二子集，通过所述第一衬底与所述第二衬底，形成凹槽。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体结构的方法，所述方法包含：/n提供第一衬底；/n形成多个导电接垫于所述第一衬底上方；/n形成薄膜于所述多个导电接垫的第一子集上，从而使所述多个导电接垫的第二子集从所述薄膜暴露；/n形成自组装单层于所述薄膜上；以及/n经由将第二衬底的一部分接合至从所述薄膜暴露的所述多个导电接垫的所述第二子集，以所述第一衬底与所述第二衬底形成凹槽。/n
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