[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本公开涉及半导体器件及其制造方法，例如，提供了一种半导体器件，其包括能够降低光接收元件的制造成本并改进光接收元件的光学性能的光接收元件。例如，形成Ge光电二极管的结构本体的p型锗层、本征锗层和n型锗层根据连续选择性外延生长来形成。具有开口部分的绝缘膜形成在SOI衬底的硅层上，并且本征锗层形成为从开口部分突出到绝缘膜上方。简而言之，通过使用具有开口部分的绝缘膜，本征锗层的截面形成为蘑菇形状。

主权项

一种半导体器件，设置有包括光电转换功能的光接收元件，其中所述光接收元件包括：绝缘膜，包括第一表面和与所述第一表面相交的第二表面，第一导电类型的第一半导体层，与所述绝缘膜的所述第一表面接触，本征半导体层，形成在所述第一半导体层之上，与所述绝缘膜的所述第一表面和所述第二表面接触，以及第二导电类型的第二半导体层，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，所述第二半导体层形成在所述本征半导体层之上并且与所述绝缘膜的所述第二表面接触。