[发明专利]高电压型钴酸锂及其制备方法

摘要

本发明提供一种具有高比容量和循环性能的高电压型钴酸锂及其制备方法。本发明所涉及的高电压型钴酸锂的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一.选择含有掺杂元素M的氧化钴A，与锂源、掺杂元素N的来源化合物进行球磨混合、烧结、破碎，得到钴酸锂材料C1；步骤二.选择含有掺杂元素M’的氧化钴A’，与锂源、掺杂元素N’的来源化合物进行球磨混合、烧结、破碎，得到钴酸锂材料C2；步骤三.将C1和C2两种钴酸锂材料按照重量比5:5～9:1的配比混合，并加入二次表面掺杂元素Z进行球磨混合，然后焙烧，粉碎，得到高电压型钴酸锂。

主权项

1.一种高电压型钴酸锂的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一.选择含有掺杂元素M的氧化钴A，与锂源、掺杂元素N的来源化合物进行球磨混合、烧结、破碎，得到钴酸锂材料C1；步骤二.选择含有掺杂元素M’的氧化钴A’，与锂源、掺杂元素N’的来源化合物进行球磨混合、烧结、破碎，得到钴酸锂材料C2；步骤三.将C1和C2两种钴酸锂材料按照重量比5:5～9:1的配比混合，并加入二次表面掺杂元素Z进行球磨混合，然后焙烧，粉碎，得到高电压型钴酸锂，其中，掺杂元素M和M’为Mg、Al、以及Ir，并且Al元素的掺杂量为2500～5000ppm，Mg元素的掺杂量为500～2000ppm，Ir元素的掺杂量为200～500ppm，掺杂元素N和N’均选自Mn、Ni、Zr、Cr、Fe、Ti、Mg以及Al元素中的任意一种或多种，掺杂量范围均为1000～5000ppm，在步骤一中，氧化钴A的中位粒径为11～20μm；在步骤二中，氧化钴A’的中位粒径为1～8μm。