[发明专利]替位式掺杂原子尺度三极管在审
| 申请号： | 201710298592.3 | 申请日： | 2017-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN108807520A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 邵诗婷 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/06;H01L21/331;H01L21/265 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 510631 广东省广州市天*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种替位式掺杂原子尺度三极管、制备方法和应用领域。该原子尺度三极管是在半导体性质的碳基材料(半导体碳纳米管或半导体石墨烯纳米带)上，采用SPM和单离子注入技术替位式掺杂三族和五族元素，形成大小为原子尺度的三极管，可用于在原子尺度上制备大规模集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 三极管 原子尺度 掺杂原子 尺度 大规模集成电路 半导体碳纳米管 制备方法和应用 半导体石墨 半导体性质 碳基材料 单离子 纳米带 族元素 可用 制备 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种替位式掺杂原子尺度三极管，为了在原子尺度(一至几十原子大小)制备集成电路，需要制备原子量级的器件，一种最主要的器件就是原子尺度三极管；技术方案是把水平放置的半导体性质的碳基材料(半导体碳纳米管或半导体石墨烯纳米带)分为左中右3个原子量级区域；如果中区替位式掺杂三族元素原子，则左右2区替位式掺杂五族元素原子；如果中区替位式掺杂五族元素原子，则左右2区替位式掺杂三族元素原子；这样形成大小为原子尺度的三极管；其特征在于：在上述碳基材料中，替位式掺杂原子沿着碳纳米管管轴或石墨烯纳米带纵向，在平行纵向对称轴的相邻1～5排晶列上每一晶胞内特定几个格点上，同时对应左中右3个区域的每个区域分别掺杂若干个(1～20个)同种原子(对应上面所述选择原子种类的方式)，形成原子尺度三极管(几原子宽度)。
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