[发明专利]替位式掺杂原子尺度导线在审
| 申请号： | 201710298639.6 | 申请日： | 2017-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN108793063A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 邵诗婷 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B82B1/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 510631 广东省广州市天*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种替位式掺杂原子尺度导线、制备方法和应用领域。该原子尺度导线是在半导体性质的碳基材料(半导体碳纳米管或半导体石墨烯纳米带)上，采用SPM和单离子注入技术替位式掺杂三族、四族、或五族元素，形成宽度为原子量级的导线，可用于连接原子尺度的电子器件，作为原子量级线程的大规模集成电路的互连，制备相应的集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂原子 原子尺度 原子量级 尺度 大规模集成电路 半导体碳纳米管 制备方法和应用 半导体石墨 半导体性质 电子器件 碳基材料 单离子 纳米带 族元素 互连 可用 线程 制备 集成电路 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种替位式掺杂原子尺度导线，为了连接原子尺度(一至几十原子大小)的器件，来制备相应的集成电路，需要宽度在原子量级的导线；技术方案是在半导体性质的碳基材料(半导体碳纳米管或半导体石墨烯纳米带)上，替位式掺杂三族、四族、或五族元素，形成宽度为原子量级的导线；其特征在于：在上述碳基材料中，替位式掺杂原子沿着碳纳米管管轴或石墨烯纳米带纵向，在平行纵向对称轴的相邻1～5排晶列上每一晶胞内特定几个格点上周期性的进行掺杂形成原子尺度导线(几原子宽度)。
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