[发明专利]薄膜沉积方法有效
| 申请号： | 201710298706.4 | 申请日： | 2017-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN108796459B | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 张同文;耿波;高攀;罗建恒;武学伟;王厚工 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜沉积方法，其包括：第一阶段，使基座位于第一工艺位置，向工艺腔室内通入工艺气体，并仅开启射频电源，以在晶片表面沉积形成预设厚度的薄膜；第二阶段，使基座位于第二工艺位置，并开启直流电源，以使该薄膜达到目标厚度；其中，第一工艺位置低于第二工艺位置。本发明提供的薄膜沉积方法，其通过在第一阶段仅加载射频功率，可以避免产生的靶材颗粒的能量过大，造成晶片表面损伤，同时通过使第一工艺位置低于第二工艺位置，可以在仅加载射频功率的条件下，保证溅射速率满足工艺要求。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 沉积 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜沉积方法，其采用的工艺设备包括工艺腔室，在所述工艺腔室的顶部设置有靶材，所述靶材分别与射频电源和直流电源电连接，并且在所述工艺腔室内、位于所述靶材的下方设置有用于承载晶片的基座，其特征在于，包括：第一阶段，使基座位于第一工艺位置，向所述工艺腔室内通入工艺气体，并仅开启所述射频电源，以在所述晶片表面沉积形成预设厚度的薄膜；第二阶段，使基座位于第二工艺位置，并开启所述直流电源，以使所述薄膜达到目标厚度；其中，所述第一工艺位置低于所述第二工艺位置。
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