[发明专利]一种低功耗短路保护电路在审

专利信息
申请号: 201710299714.0 申请日: 2017-05-02
公开(公告)号: CN106992673A 公开(公告)日: 2017-07-28
发明(设计)人: 李德全;李博;范英哲;吴临玉;喻涛;李智荣;王其岗 申请(专利权)人: 兰州空间技术物理研究所
主分类号: H02M1/32 分类号: H02M1/32;H02M3/156
代理公司: 北京理工大学专利中心11120 代理人: 高燕燕,仇蕾安
地址: 730000 甘*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 发明公开了一种低功耗短路保护电路,包括功率转换部分A和保护电路部分B;其中功率转换部分包括脉宽调制器PWM、金氧半场效晶体管MOSFET以及功率变压器T1;保护电路B包括电流互感器T2、整流管V4、滤波电容C2、三极管V6、稳压管V5以及第五电阻R5、第七电阻R7;T2的初级与T1的次级输出端串联,T2的次级的同名端连接整流管V4的正极,V4的负极分别连接滤波电容C2的正极和稳压管V5的负极,C2的负极连接T2的次级的异名端,V5的正极通过第六电阻R6连接三极管V6的基极,V6的集电极连接至PWM的参考电压端即vref端口,V6的发射级连接至PWM的电压采样端即vfb端口;第五电阻R5并联在T2的次级,作为T2的负载电阻;第七电阻R7连接在V6的基极和发射级之间。
搜索关键词: 一种 功耗 短路 保护 电路
【主权项】:
一种低功耗短路保护电路,其特征在于,包括功率转换部分A和保护电路部分B;其中功率转换部分包括脉宽调制器PWM、金氧半场效晶体管MOSFET以及功率变压器T1;所述脉宽调制器PWM的参考电压端vref接收输入的参考电压、电压采样端vfb接收输入的电压采样值,依据参考电压对输入的电压采样值进行脉宽调制后,输出宽度可调的方波电压至MOSFET;所述金氧半场效晶体管MOSFET在所述方波电压的驱动下,处于开关状态,其中在方波电压的高电平时状态为开,在方波电压的低电平时状态为关;所述功率变压器T1接收MOSFET在开状态下的输出电压,对该输出电压进行功率和电压的转换,得到最终的输出电压;所述保护电路B包括电流互感器T2、整流管V4、滤波电容C2、三极管V6、稳压管V5以及第五电阻R5、第七电阻R7;其中T2的初级与T1的次级输出端串联,T2的次级的同名端记为pp端、异名端为pm端,pp端连接整流管V4的阳极,V4的阴极分别连接滤波电容C2的正极和稳压管V5的阴极,C2的负极连接pm端,V5的阳极通过第六电阻R6连接三极管V6的基极,V6的集电极连接至PWM的参考电压端即vref端口,V6的发射级与PWM的vfb端口、C2的负极以及pm端均相连;第五电阻R5并联在T2的次级,作为T2的负载电阻;第七电阻R7连接在V6的基极和发射级之间。
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