[发明专利]一种基于光热效应的纳米键合系统和方法在审
申请号: | 201710300015.3 | 申请日: | 2017-04-28 |
公开(公告)号: | CN107240557A | 公开(公告)日: | 2017-10-10 |
发明(设计)人: | 卢锦胜;李强;仇旻 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;B82B3/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 杭州天勤知识产权代理有限公司33224 | 代理人: | 胡红娟 |
地址: | 310013 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开一种基于光热效应的纳米键合系统,包括衬底,设置在衬底上的至少一块金属电极;金属电极上放置有待融合的纳米线;还包括设置在衬底上方的激光光源,以及将激光汇聚在纳米线与金属电极接触位点处的透镜。本发明还公开一种基于光热效应的纳米键合方法,将纳米线放置在金属电极上,利用透镜将激光汇聚为亚微米级的光斑点,并使激光汇聚点定位于纳米线与金属电极接触位置,通过光热效应,使纳米线和金属电极熔接在一起。本发明通过激光光热键合,一方面可以利用光热效应去除纳米线表面的有机物,使得纳米线和金属电极有效贴合,另一方面由于纳米线和金属电极熔合在一起,因而可以形成非常好的物理连接,力学特性优良,连接稳定可靠。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 光热 效应 纳米 系统 方法 | ||
【主权项】:
一种基于光热效应的纳米键合系统,其特征在于:包括衬底,设置在衬底上的至少一块金属电极;所述的金属电极上放置有待融合的纳米线;还包括设置在衬底上方的激光光源,以及将激光汇聚在纳米线与金属电极接触位点处的透镜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造