[发明专利]一种粉末扩散法连续制备高硅硅钢薄带的方法及装置在审
| 申请号： | 201710300265.7 | 申请日： | 2017-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN108796427A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 伍玉娇;龙琼;黄芳;凌敏;周登凤;路坊海;何杰军;李杨 | 申请（专利权）人： | 贵州理工学院 |
| 主分类号： | C23C10/28 | 分类号： | C23C10/28;C23C10/02;C21D7/06;C21D1/26;C21D1/74;C21D9/56 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 刘楠;李余江 |
| 地址： | 55000*** | 国省代码： | 贵州;52 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种粉末扩散法连续制备高硅硅钢薄带的方法及装置，利用表面强化工艺处理低硅钢薄带，然后通入高硅粉末中在低硅钢薄带上制备一层高硅涂层，同时在粉末扩散过程中，施加磁场和电场，获得高硅涂层后的硅钢薄带再经过磁场下热处理，进而获得具有优异软磁性能的6.5wt％Si的高硅硅钢薄带。本发明是在粉末扩散装置和热处理装置基础上,通过施加磁场强度为0.001～20T的恒定磁场,促进硅元素的扩散，在粉末扩散时，同时还施加电场促进硅元素的扩散。在粉末扩散之前，采用喷丸工艺在低硅钢带上进行强化处理，植入一定的残余应力，可以加速硅元素的扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 薄带 扩散 高硅硅钢 低硅钢 硅元素 磁场 粉末扩散法 电场 连续制备 施加 表面强化工艺 热处理装置 热处理 硅钢 残余应力 高硅涂层 恒定磁场 扩散装置 强化处理 软磁性能 硅涂层 高硅 喷丸 植入 制备 | ||
【主权项】：
1.一种粉末扩散法连续制备高硅硅钢薄带的方法，其特征在于：利用表面强化工艺处理低硅钢薄带，然后通入高硅粉末中在低硅钢薄带上制备一层高硅涂层，同时在粉末扩散过程中，施加磁场和电场，获得高硅涂层后的硅钢薄带再经过磁场下热处理，进而获得具有优异软磁性能的6.5wt％Si的高硅硅钢薄带。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于贵州理工学院，未经贵州理工学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710300265.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种金属表面渗硼超硬处理工艺
- 下一篇：一种可以进行粉尘分离的渗锌炉
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C10-00 金属材料表面中仅渗入金属元素或硅的固渗
C23C10-02 .被覆材料的预处理
C23C10-04 .局部表面上的扩散处理，例如使用掩蔽物
C23C10-06 .使用气体的
C23C10-18 .使用液体，例如盐浴、悬浮液的
C23C10-28 .使用固体，例如粉末、膏剂的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C10-00 金属材料表面中仅渗入金属元素或硅的固渗
C23C10-02 .被覆材料的预处理
C23C10-04 .局部表面上的扩散处理，例如使用掩蔽物
C23C10-06 .使用气体的
C23C10-18 .使用液体，例如盐浴、悬浮液的
C23C10-28 .使用固体，例如粉末、膏剂的
