[发明专利]一种处理单晶返工片的方法在审
申请号: | 201710300389.5 | 申请日: | 2017-04-29 |
公开(公告)号: | CN106981547A | 公开(公告)日: | 2017-07-25 |
发明(设计)人: | 蒋建宝 | 申请(专利权)人: | 无锡赛晶太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0236;C30B33/10 |
代理公司: | 江苏圣典律师事务所32237 | 代理人: | 贺翔 |
地址: | 214200 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一种处理单晶返工片的方法,包括以下步骤,(1)将返工片分选出来,置于不通源的扩散炉中,进行高温处理;(2)将高温处理后的返工片放入去离子水中在常温下进行超声波清洗或碱洗处理;(3)最后将步骤(2)得到的返工片在上述制绒槽内进行清洗制绒工序即可;(4)将制绒后的返工片进行喷淋,然后置于氢氟酸和盐酸的混合溶液中进行酸洗处理,并依次进行漂洗,甩干处理。本发明能够减少电池片生产过程中返工片数量,提高返工片的转换效率及成品率。 | ||
搜索关键词: | 一种 处理 返工 方法 | ||
【主权项】:
一种处理单晶返工片的方法,其特征在于,包括以下步骤,(1)将返工片分选出来,置于不通源的扩散炉中,进行高温处理,温度为1000±1℃高温处理时间为15~20min;(2)将高温处理后的返工片放入去离子水中在常温下进行超声波清洗或碱洗处理,超声波清洗的频率是20‑50KHZ,功率是 1800W,清洗时间 2~ 10min;(3)当制绒槽内的溶液为刚失效的溶液时,先将制绒槽内的溶液排掉 1/3,然后注入等量纯水稀释溶液,然后在溶液内补加添加剂、NaOH 和异丙醇,控制每升稀释后的溶液加入1.25mL 添加剂,6.3g NaOH,8mL 异丙醇;最后将步骤(2)得到的返工片在上述制绒槽内进行清洗制绒工序即可;(4)将制绒后的返工片进行喷淋,然后置于氢氟酸和盐酸的混合溶液中进行酸洗处理,并依次进行漂洗,甩干处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的