[发明专利]一种低强度磁场下制备高硅硅钢薄带的方法及装置有效
| 申请号： | 201710300505.3 | 申请日： | 2017-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN108796568B | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 龙琼;路坊海;张英哲 | 申请（专利权）人： | 贵州理工学院 |
| 主分类号： | C25D5/18 | 分类号： | C25D5/18;C25D15/00;C25D5/50;C25D7/06 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 刘楠 |
| 地址： | 55000*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一该方法利用静磁场脉冲复合电镀技术在低硅钢片表面获得高硅镀层，然后经过热处理工艺来获得硅含量为6.5wt%Si的高硅硅钢薄带，本发明操作简单,可以常温下实现增硅操作，成本低廉，并且可以制备近终型高硅硅钢带材。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 强度 磁场 制备 硅钢 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种低强度磁场下制备高硅硅钢薄带的方法，其特征在于：该方法利用静磁场脉冲复合电镀技术在低硅钢片表面获得高硅镀层，然后经过热处理工艺来获得硅含量为6.5wt%Si的高硅硅钢薄带。
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