[发明专利]一种基于自适应卷积核的磁共振相位图的背景场去除方法有效

专利信息
申请号: 201710300868.7 申请日: 2017-05-02
公开(公告)号: CN107146235B 公开(公告)日: 2019-09-06
发明(设计)人: 包立君;方金生;陈忠 申请(专利权)人: 厦门大学
主分类号: G06T7/194 分类号: G06T7/194
代理公司: 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 代理人: 张松亭;林燕玲
地址: 361000 *** 国省代码: 福建;35
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摘要: 一种基于自适应卷积核的磁共振相位图的背景场去除方法,利用水平集函数创建解缠绕相位图的能量泛函;根据求解得到的相位水平集能量提取出磁化率区域变化的显著度,并逐个体素的创建自适应高斯卷积核;采用自适应高斯卷积核去除背景场。本方法能够有效解决在空气‑组织交界面处因强磁化率变化引起的场分布不均匀问题,实现准确去除背景场的同时保证人体组织的完整性,为研究应用和临床诊断提供高质量的相位信息和局部场图。
搜索关键词: 一种 基于 自适应 卷积 磁共振 相位 背景 去除 方法
【主权项】:
1.一种基于自适应卷积核的磁共振相位图的背景场去除方法,其特征在于:利用水平集函数创建解缠绕相位图的能量泛函;根据求解得到的相位水平集能量提取出磁化率区域变化的显著度,并逐个体素的创建自适应高斯卷积核;采用自适应高斯卷积核去除背景场。所述利用水平集函数创建解缠绕相位图的能量泛函,其模型为其中:Ψ为水平集函数,f1(x)和f2(x)为灰度拟合函数,αi是权系数,y是以x为中心的局部图像域中任意点的坐标;I(y)表示点y的灰度值,s为局部图像域的尺度,由二维高斯核函数Ks定义;为弧长约束项,为水平集正则项,μ和ν为权常数,和div分别为梯度算子和散度算子,δ为单位冲击函数;所述的采用能量泛函求解得到的相位水平集函数值,构造自适应的高斯卷积核,其定义为其中:标准差σ由当前体素的水平集函数值Ψ(X,Y,Z)和该点所处层面的水平集均值Ψ0(Z)之比调制,表示为σ(X,Y,Z)=rΨ0(Z)/CΨ(X,Y,Z)常数C用于调节比值Ψ0(Z)/Ψ(X,Y,Z)与卷积核标准差σ之间的关系。
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