[发明专利]一种铝镓氮基日盲紫外探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 201710301067.2 | 申请日： | 2017-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN106960887A | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 王书昶;张惠国;况亚伟;郭文华;冯金福 | 申请（专利权）人： | 常熟理工学院 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/032;H01L31/105;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 | 代理人： | 张俊范 |
| 地址： | 215500 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铝镓氮基日盲紫外探测器，包括由下至上依次设置的蓝宝石衬底、AlN成核层、Alx1Ga1‑x1N缓冲层、n型Alx2Ga1‑x2N层、非掺杂i型Zny1Mg1‑y1O吸收层、n型ZnO/Zny2Mg1‑y2O超晶格分离层、非掺杂i型Zny3Mg1‑y3O倍增层、p型Alx3Ga1‑x3N层、p型GaN层，在n型Alx2Ga1‑x2N层上引出的n型欧姆电极，在p型GaN层上引出的p型欧姆电极。本发明还公开了铝镓氮基日盲紫外探测器的制备方法。该铝镓氮基日盲紫外探测器可提高日盲紫外探测器雪崩倍增因子与探测器的响应度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铝镓氮基日盲 紫外 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铝镓氮基日盲紫外探测器，其特征在于，包括由下至上依次设置的蓝宝石衬底、AlN成核层、Alx1Ga1‑x1N缓冲层、n型Alx2Ga1‑x2N层、非掺杂i型Zny1Mg1‑y1O吸收层、n型ZnO/Zny2Mg1‑y2O超晶格分离层、非掺杂i型Zny3Mg1‑y3O倍增层、p型Alx3Ga1‑x3N层、p型GaN层，在n型Alx2Ga1‑x2N层上引出的n型欧姆电极，在p型GaN层上引出的p型欧姆电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
