[发明专利]用于晶体硅太阳能电池的扩散工艺有效
| 申请号： | 201710305222.8 | 申请日： | 2017-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN107086254B | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 张华灿;赵钊;刘德臣;王军;顾艳杰 | 申请（专利权）人： | 北京捷宸阳光科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人： | 史霞 |
| 地址： | 101102 北京市通州区中关村*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于晶体硅太阳能电池的扩散工艺，包括如下步骤：依次进行三步扩散和推进，其中，第一步扩散和第一次推进的中心温度为810℃，第二步扩散和第二次推进的中心温度为820℃，第三步扩散和第三次推进的中心温度为830℃，于每步扩散中通入携带磷源氮气。本发明实现了四探针测试条件下90‑100Ω/sq的高方阻，5点测试均匀性更好，有效降低了结深，减少了表面复合，配合合适的丝网印刷工艺，可以有效提升电池的开路电压和短路电流，使电池效率至少有0.1％的绝对值提升。该工艺过程操作简单，没有增加生产成本，易于工业化推广。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 晶体 太阳能电池 扩散 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种用于晶体硅太阳能电池的扩散工艺，其特征在于，包括如下步骤：依次进行三步扩散和推进，其中，第一步扩散和第一次推进的中心温度为810℃，第二步扩散和第二次推进的中心温度为820℃，第三步扩散和第三次推进的中心温度为830℃，于每步扩散中通入携带磷源氮气，所述第一步扩散、第二步扩散和第三步扩散于升温过程中进行，所述第一步推进、第二步推进和第三步推进于恒温条件下进行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
