[发明专利]一种LED外延生长方法有效
| 申请号： | 201710305662.3 | 申请日： | 2017-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN107134517B | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 徐平 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 | 代理人： | 郑隽;张洪敏 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种LED外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温成核层GaN、生长高温GaN缓冲层、生长非掺杂u‑GaN层、生长温度压力渐变n‑GaN层、生长发光层、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层、生长P型GaN接触层、降温冷却。其中，所述温度压力渐变n‑GaN层包括温度渐变n型GaN层、压力渐变n型GaN层和温度、压力同时渐变n型GaN层。本发明方法能够提高外延材料结晶质量，提升量子阱发光区的电子空穴对，增强发光辐射效率，提高LED的发光效率，降低电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种LED外延生长方法，其特征在于，依次包括：处理衬底、生长低温成核层GaN、生长高温GaN缓冲层、生长非掺杂u‑GaN层、生长温度压力渐变n‑GaN层、生长发光层、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层、生长P型GaN接触层、降温冷却，其中，所述温度压力渐变n‑GaN层包括温度渐变n型GaN层、压力渐变n型GaN层以及温度、压力同时渐变n型GaN层；所述温度压力渐变n‑GaN层为：通入N2和SiH4，在N2气氛下，保持生长压力为500Torr～600Torr，生长温度由500～800℃渐变至1000～1300℃，生长厚度为100nm至150nm的n型GaN层，Si掺杂浓度为1E18atoms/cm3至1E21atoms/cm3；降低温度至600℃～800℃，通入H2和SiH4，在H2气氛下，保持生长温度为600℃～800℃，生长压力由500Torr～600Torr渐变至800Torr～1000Torr，生长厚度为5nm至10nm的n型GaN层，Si掺杂浓度为1E18atoms/cm3至1E21atoms/cm3；通入N2、H2和SiH4，在N2和H2的混合气氛下，生长温度由600℃～800℃渐变至900℃～1150℃，生长压力由800Torr～1000Torr渐变至200Torr～400Torr，生长厚度为10nm至100nm的n型GaN层，Si掺杂浓度为1E18atoms/cm3至1E21atoms/cm3；其中，生长温度渐变n型GaN层、压力渐变n型GaN层和温度、压力同时渐变n型GaN层通入的MO源为TMGa。
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