[发明专利]一种基于离子注入掺杂的氧化铪铁电栅制备方法

摘要

本发明提供一种基于离子注入掺杂HfO2的MFIS铁电栅制备工艺，先采用标准清洗工艺对P‑Si或者n‑Si基片进行清洗，以去除硅表面的颗粒及其它污染物，随后在硅片上沉积适当厚度的HfO2并进行退火处理；之后使用离子注入机对HfO2进行掺杂，然后对掺杂后的HfO2进行退火处理；在掺杂后的HfO2上即氧化铪铁电薄膜上沉积顶电极，然后再次对电极快速热处理；最后采用反应离子刻蚀方法将MFIS多层薄膜结构刻蚀成与源、漏和沟道尺寸相匹配MFIS阵列单元。本发明能精确控制HfO2铁电薄膜掺杂浓度，且制备相对简单，薄膜制备温度低的成熟操作工艺。

主权项

一种基于离子注入掺杂HfO2的MFIS铁电栅制备工艺，其特征在于：包括以下步骤：1)先用标准清洗工艺对P‑Si或者n‑Si基片进行清洗，以去除硅表面的SiO2氧化物，随后在硅片上长一定厚度的HfO2；2)离子注入对HfO2进行掺杂，然后对掺杂后的HfO2进行一次退火处理；3)在HfO2铁电薄膜形成顶电极，然后对电极进行快速热处理。4)对MFI层进行刻蚀形成铁电栅阵列。